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J-GLOBAL ID：200903016441016270

多結晶シリコンの製造方法

Inventor： 阪口 泰彦 ,  荒谷 復夫 ,  及川 光郎 ,  三浦 紀雄
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993131535
Publication number (International publication number)：1994144824
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： May. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多結晶シリコンの鋳塊製造用黒鉛製鋳型のネジ破損を効果的に防止すると共に該多結晶シリコンの鋳塊の製品歩留りを向上させる多結晶シリコンの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコンの鋳塊製造用黒鉛製鋳型の側板の内面に、二酸化珪素粉末を厚さ0.5mm 以上塗布するか、または二酸化珪素粉末塗布層の上面に窒化珪素粉末を厚さ0.35mm以上塗布し、焼成乾燥後に多結晶シリコンを鋳造することにより、上記目的の達成が可能となる。

Claim (excerpt)：

黒鉛製の底板と黒鉛製の4枚の側板が、互いにネジで固定された鋳型に溶融シリコンを注入し、冷却固化して多結晶シリコンの鋳塊を製造する方法であって、前記鋳型の側板の内面に、二酸化珪素粉末を0.5mm 以上の厚さで塗布することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-108515
  
• 特開昭58-032008