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J-GLOBAL ID：200903016444691270

半導体レーザアレイ

Inventor： 成瀬 雄二郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992245298
Publication number (International publication number)：1994097579
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上に集積化されたマイクロキャビティレーザを任意に駆動することができ、機能の柔軟性と集積化が容易な半導体レーザアレイを提供すること。【構成】 半導体基板上にマイクロキャビティレーザを集積化した半導体レーザアレイにおいて、半導体基板10内に2次元電子ガスのチャネル13を形成すると共に、電子エミッタ17及び方向制御電極18を形成し、2次元電子ガスのチャネル13を介して各マイクロキャビティレーザ20への電流注入,共通アース及びスイッチング制御などを行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

2次元電子ガスのチャネルを有する半導体基板と、この基板上に形成された複数のマイクロキャビティレーザとを具備してなり、前記2次元電子ガスのチャネルを介して各マイクロキャビティレーザへの電流注入を行うことを特徴とする半導体レーザアレイ。