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J-GLOBAL ID：200903016446126996
半導体材料のエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107745
Publication number (International publication number)：1994302554
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】損傷が少なく良質な結晶を作製できるエッチング方法を提供する。【構成】エッチング装置は、第1の真空室1、第2の真空室2、第1の電磁コイル3、第2の電磁コイル4、エッチングガス供給口5、導波管6、半導体材料を支持する基板ホルダ7、基板8、高周波電源9を主要部として構成される。両方の真空室には磁場が印加され、イオンが磁場に閉じ込められて基板8付近まで発散せずに進む。基板ホルダ7に高周波バイアスを印加し、強化されたドライビング・フォースによってイオンを基板8に引き込むので、低い高周波電力でもイオンの方向性が一定で物理スパッタ力が十分に得られるが、イオン衝撃は小さい。このため、エッチングでの結晶損傷の度合いが低減する。
Claim (excerpt)：
連続した少なくとも二つの真空室からなり、第一の真空室にはエッチングガスを導入してマイクロ波を印加し、該エッチングガスを電子サイクロトロン共鳴によりイオン化しておき、第二の真空室にはエッチング対象の半導体材料を設置し、該半導体材料を支持する支持具に電界を印加して第一の真空室で生成したイオン種を該半導体材料に導いて該半導体材料をエッチングする方法。
IPC (2)：
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