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J-GLOBAL ID：200903016446546510

横型MOS電界効果トランジスタ

Inventor： 谷田 宏
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127342
Publication number (International publication number)：1993326946
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 オン抵抗の低減、スイッチングスピードおよび逆方向安全動作領域の向上を同時に図りうる横型MOS電界効果トランジスタを提供する。【構成】 シリコン基板1上に高濃度ドレイン領域2を包含するように形成された延長ドレイン領域3内に高濃度ドレイン領域2からチャネル部5方向に向かう基板表面に沿って形成されるシリコン基板1と同一の導電型領域4を分割し、この分割されたシリコン基板1と同一の導電型領域4を、高濃度ドレイン領域2からチャネル部5へ向かう方向に対して垂直方向に所定間隔を置いて並設するとともに、シリコン基板1と同一の導電型領域4とソ-ス電極11とを電気的に接続する。

Claim (excerpt)：

一導電型のシリコン基板上に他導電型の高濃度ドレイン領域を包含するように形成された延長ドレイン領域内に、前記高濃度ドレイン領域からチャネル部方向に向かう基板表面に沿ってシリコン基板と同一の導電型領域が形成された横型MOS電界効果トランジスタであって、前記延長ドレイン領域内のシリコン基板と同一の導電型領域を分割し、この分割されたシリコン基板と同一の導電型領域を、前記高濃度ドレイン領域からチャネル部へ向かう方向に対して垂直方向に所定間隔を置いて並設したことを特徴とする横型MOS電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-107867
  
• 特開平4-107872
  
• 特開平4-107879