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J-GLOBAL ID：200903016452042052

成膜装置

Inventor： 折付 良二 ,  鳥塚 武美 ,  村松 文雄 ,  竹田 智彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  国際電気株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341714
Publication number (International publication number)：1993160027
Application date： Dec. 02, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】成膜空間であるインナーチャンバーの真空度を正確に測定して、高品質の薄膜を形成する。【構成】インナーチャンバー02に直接真空ゲージ7-1を設置するか、または成膜チャンバー01からインナーチャンバー02に貫通させて真空ゲージ7-2を設置するか、あるいはガス導入管31に当該ガス導入管31の真空度を測定する真空ゲージ7-3を設けた。【効果】成膜チャンバー内で成膜空間を構成するインナーチャンバーの真空度を正確に測定することが可能となる。

Claim (excerpt)：

真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置されて当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成するインナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内部に対向配置された高周波電極および基板電極と、前記インナーチャンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間とを連通するガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの外部から前記インナーチャンバー内に反応ガスを導入すると共に、前記高周波電極および基板電極との間に高周波電界エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した基板面に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の前記反応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバーを介して前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置において、前記インナーチャンバーの内部真空度を測定する真空ゲージを当該インナーチャンバーに直接設けたことを特徴とする成膜装置。