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J-GLOBAL ID：200903016460648318
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994168720
Publication number (International publication number)：1996017731
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】 アモルファスシリコン膜を結晶化するに際して、低温処理が可能で、しかもキャリア移動度にバラツキが発生し難い製造方法を提供する。【構成】 通常のガラス基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜に、エキシマランプ光を照射してアニールし、アモルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜を生成する。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に堆積された又は堆積中のアモルファス半導体膜に高エネルギー光を照射して、該アモルファス半導体膜を結晶化する半導体装置の製造方法において、上記高エネルギー光の光源として、RF波あるいはマイクロ波照射により無電極で励起され主として紫外線域のインコヒーレント光を放射するランプを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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