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J-GLOBAL ID：200903016466225770
アクティブマトリクス型液晶表示素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992252531
Publication number (International publication number)：1994102537
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 TFTの動作特性及び信頼性の低下を避けつつ材料コストの低廉な誘電体膜を用いて簡易な製造工程により形成できる制御容量を具備して、良好な視野角特性を実現したアクティブマトリックス型液晶表示素子を提供する。【構成】 TFT5に接続された第1の副画素電極1と、この第1の副画素電極1との平面的な接触および重複を避けて第1の副画素電極と隣り合うように配設されTFT5のゲート絶縁膜27と同一の材質からなる誘電体17と容量用電極15とで電気容量19を形成しこの電気容量19を介してTFT5に接続された第2の副画素電極3とに 2分割された画素電極を具備することで視角特性を向上させたアクティブマトリックス型液晶表示素子。
Claim (excerpt)：
列設された走査線とこれにマトリックス状に交差するように列設された信号線と前記走査線および前記信号線に接続された薄膜トランジスタ素子とこれに接続された画素電極とこれに対向する対向電極と前記画素電極および前記対向電極の間に挟持された液晶層とを有する液晶表示素子において、前記薄膜トランジスタ素子に接続された第1の副画素電極と、前記第1の副画素電極との平面的な接触および重複を避けて前記第1の副画素電極と隣り合うように配設され前記薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁膜と同一の材質からなる誘電体と容量用電極とで電気容量を形成し該電気容量を介して前記薄膜トランジスタ素子に接続された第2の副画素電極とに 2分割された画素電極を具備することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示素子。
IPC (4)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09G 3/36
, H01L 29/784
