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J-GLOBAL ID：200903016468335033

ダイヤモンドの製造方法およびダイヤモンドの製造方法に使用するダイヤモンド単結晶基材

Inventor： 築野 孝 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237347
Publication number (International publication number)：1994087691
Application date： Sep. 04, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 気相合成によるエピタキシャル成長を長時間維持し、均質かつ大型のダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。【構成】 ダイヤモンドを気相から成長されるダイヤモンドの製造方法であって、実質的に(001)面からなる結晶成長面と、実質的に(110)面からなる第1の側面と、実質的に(1-110)面からなる第2の側面と、実質的に(11-10)面からなる第3の側面と、実質的に(1-11-10)面からなる第4の側面とからなるダイヤモンド単結晶基材、または、この関係と等価な配置を有するダイヤモンド単結晶基材を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基材上に気相合成法によるダイヤモンドをエピタキシャル成長させる工程とを備える。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドを気相から成長させるダイヤモンドの製造方法であって、実質的に(001)面からなる結晶成長面と、実質的に(110)面からなる第1の側面と、実質的に(1-110)面からなる第2の側面と、実質的に(11-10)面からなる第3の側面と、実質的に(1-11-10)面からなる第4の側面とからなるダイヤモンド単結晶基材、または、この関係と等価な配置を有するダイヤモンド単結晶基材を準備する工程と、前記ダイヤモンド単結晶基材上に気相合成法によりダイヤモンドをエピタキシャル成長させる工程とを備える、ダイヤモンドの製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/20