Pat

J-GLOBAL ID：200903016488906975

半導体装置の製造方法と製造装置

Inventor： 菊地 純
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049547
Publication number (International publication number)：1995263416
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板表面の自然酸化膜を除去するのに適した半導体装置の製造技術に関する。【構成】 (x)HF蒸気およびH2 Oまたはアルコールの蒸気で基板を処理する工程と、(a)水素含有ガスの流れに励起エネルギを与え、プラズマ化する工程と、(b)プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化窒素含有ガスを添加する工程と、(c)弗化窒素含有ガスを添加されたガスの流れ下流で前記(x)工程後の基板をガスに曝して処理する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

(x)HF蒸気およびH2 Oまたはアルコールの蒸気で基板を処理する工程と、(a)水素含有ガスの流れに励起エネルギを与え、プラズマ化する工程と、(b)プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化窒素含有ガスを添加する工程と、(c)弗化窒素含有ガスを添加されたガスの流れ下流で前記(x)工程後の基板をガスに曝して処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 P ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• SiO2 膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098895   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
• 特開平4-096226