Pat

J-GLOBAL ID：200903016491656750

シリコン加工廃水の処理方法

Inventor： 山口 久福
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995189098
Publication number (International publication number)：1997029263
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン加工廃水の処理により発生する多量の凝集物、及び該廃水から凝集物を分離した後の上澄み液中の多量の残存物を低減化することのできるシリコン加工廃水の処理方法を開発する。【解決手段】 シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水を上澄み液と沈殿とに分離するシリコン加工廃水の処理方法において、該廃水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させることを特徴とするシリコン加工廃水の処理方法。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水を上澄み液と沈殿とに分離するシリコン加工廃水の処理方法において、該廃水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させることを特徴とするシリコン加工廃水の処理方法。

IPC (4)：

C02F 1/56 ZAB ,  B01D 21/01 108 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/301

FI (4)：

C02F 1/56 ZAB K ,  B01D 21/01 108 ,  H01L 21/304 311 Z ,  H01L 21/78 Z