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J-GLOBAL ID：200903016506179288

処理装置

Inventor：
東浦 勉

About 東浦 勉


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003427020
Publication number (International publication number)：2005191056
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 載置台内部の煩雑化や特別な加熱機構の設置を伴なわない加熱方式により載置台上の被処理基板の温度を任意に制御できるようにすること。【解決手段】 サセプタ16の上面に設けられる静電チャック18は導電板または導電膜からなる電極部20を一対の誘電体または絶縁体シート22,24の間に挟み込んでおり、電極部20には給電ライン26を介して直流電源28からの静電吸着用の直流電圧が印加される。高周波電源58は、サセプタ16上の半導体ウエハWの温度を加熱方式で制御するために静電チャック18の電極部20を抵抗発熱させるもので、その一方の出力端子が給電ライン64を介してサセプタ16に電気的に接続され、他方の出力端子がグランド電位に接続されており、たとえば10kHzの高周波を好ましくは可変制御可能なパワーで出力する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理基板に所定の処理を施すための処理空間を与える処理容器と、 前記処理容器内で前記基板を載置する載置台と、 前記載置台の内部に基板載置面に近接して設けられる導体と、 第1の給電ラインを介して前記導体に静電吸着用の直流電圧を印加する直流電源と、 一方の出力端子が第2の給電ラインを介して前記導体に電気的に接続され、加熱用の高周波を出力する高周波電源と、 前記第1の給電ラインの途中に設定された所定のノードと前記高周波電源の他方の出力端子との間で直流を遮断し前記高周波を通す高周波バイパス回路と を有し、前記高周波電源と前記第2の給電ラインと前記導体と前記第1の給電ラインと前記高周波バイパス回路とを含む閉回路内で前記高周波電源より出力される高周波の電流が流れ、前記導体のジュール熱によって前記載置台上の前記基板が加熱される処理装置。
IPC (3)：
H01L21/3065 ,  H01L21/68 ,  H05B3/68
FI (3)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/68 R ,  H05B3/68
F-Term (25)：
3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB30 ,  3K092UB01 ,  3K092VV40 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA18 ,  5F031HA19 ,  5F031HA37 ,  5F031JA46 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA30 ,  5F031MA32 ,  5F031PA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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