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J-GLOBAL ID：200903016512553256

レーザー用膜製造方法および装置

Inventor： 大谷 実 ,  藤村 秀彦 ,  石倉 淳理 ,  沢村 光治 ,  吉田 国雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  大阪大学長 ,  新技術事業団
Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271212
Publication number (International publication number)：1994116708
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 不純物・ゴミ等の少い薄膜素子を製造する。【構成】 基板W1 は仕切弁2bを通って真空槽である搬入室2へ搬入される。搬入室2を排気したのち、基板W1 を往復移動させながら、基板W1 の成膜面にイオンガン4からイオンビームを照射して、前工程で基板W1 の成膜面に導入、付着した不純物・ゴミ等を除去する。次いでゲート弁1cを開いて基板W1 を成膜室1へ搬入して基板ホルダ1bに装着し、蒸発源1aから蒸気を発生させて成膜面に薄膜を蒸着する。

Claim (excerpt)：

成膜面を有する基板を第1の真空槽に搬入して該第1の真空槽を排気する工程と、排気された第1の真空槽の基板を第2の真空槽に搬入してその成膜面に薄膜を蒸着する工程からなり、前記第1の真空槽が排気されたのち、排気された第1の真空槽の基板の成膜面にイオンビームを照射することを特徴とするレーザー用膜製造方法。

IPC (2)：

C23C 14/02 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平1-104760