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J-GLOBAL ID：200903016515319939

X線撮像装置及びX線診断装置

Inventor： 田中 学 ,  池田 光志 ,  鈴木 公平
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998023573
Publication number (International publication number)：1998284713
Application date： Feb. 04, 1998
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 各X線検出画素の開口率を向上させX線検出感度を高めるとともに、リセット時間が早くX線動画像透視が可能なX線撮像装置を提供する。【解決手段】 入射したX線を電荷に変換する電荷変換膜(Cse)47と、電荷変換膜47により変換された電荷を蓄積する画素容量(Cst)19と、画素容量19により蓄積された電荷を読み出すTFT5と、過大電圧から画素容量19及びTFT5を保護する金属29-絶縁膜33-金属31からなるMIM構造の薄膜ダイオード(MIM)9と、をX線撮像装置のそれぞれの画素に備える。

Claim (excerpt)：

入射したX線に応じた電荷を発生するX線電荷変換手段と、2次元的に配列され、前記X線電荷変換手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極と、前記画素電極にそれぞれ対応して設けられ、前記画素電極で収集された電荷に応じた電荷を蓄積する複数の電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に対応して設けられ、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を読み出す複数の電荷読出し手段と、前記電荷読出し手段に対応して設けられ、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷により前記電荷読出し手段にかかる電圧が所定の電圧を超えた時に前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を外部に放出する複数の薄膜ダイオードとを備えることを特徴とするX線撮像装置。

IPC (5)：

H01L 27/14 ,  A61B 6/00 300 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (5)：

H01L 27/14 K ,  A61B 6/00 300 S ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 放射線検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-524016   Applicant：ユニバーシティオブサリー
• 反射型液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273913   Applicant：シャープ株式会社