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J-GLOBAL ID：200903016522856338

加工用中性ビーム発生方法

Inventor： 原 民夫 ,  浜垣 学 ,  青柳 克信 ,  東海 正國 ,  龍治 真 ,  大西 勝
Applicant, Patent owner： 理化学研究所 ,  川崎重工業株式会社
Agent (1)： 富田 幸春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994082654
Publication number (International publication number)：1995273072
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体ウエハ等のターゲット試料に大運動エネルギーを有する中性粒子のビームを照射して中性ラジカルの種類と量を種々調節しながら、設計通りのドライエッチングを行うようにする。【構成】イオン源3からの加速されたイオンビーム5' に電子ビーム照射装置(EBEP)11からの電子ビーム18を照射し、電気的に中性ビーム19化して反応室20に入射させ、中性ビーム19中に混入する荷電粒子についてはマイナス帯電の荷電粒子除去フィルタ23、プラス側の荷電粒子除去フィルタ24によりこれらを追い返し、或いは、吸着して除去し、反応室20に於ては確実に完全に中性化したビーム19を低圧状態のガス下においても、中性ラジカルの種類,量を変化させながら、制御性良く、ドライエッチングを行うようにする。【効果】ターゲット試料21' に対する大運動エネルギーの中性ビームを確実に照射し、中性ラジカルの種類と量をコントロールしてスムーズなドライエッチングを行うことが出来る。

Claim (excerpt)：

イオン源からのイオンを引き出し該イオンに電荷付与を介し中性ビーム化して被加工物に照射するようにする加工用中性ビーム発生方法において、上記イオン源から引き出したイオンを加速電極により加速し、加速したイオンに対しプラズマ領域で形成され加速領域にて加速された電子ビームを照射するようにすることを特徴とする加工用中性ビーム発生方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 D