Pat
J-GLOBAL ID：200903016533211576
スパッタリング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020284
Publication number (International publication number)：1996218167
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：
【要約】【構成】 ターゲット11を設置する第1の電極12と、基板13を設置する第2の電極14と、それらの間にコイル状の第3の電極15を有するスパッタリング装置において、コイル状の第3の電極15を該電極により発生したプラズマから遮蔽する遮蔽物18を設ける。【効果】 コイル状電極を構成する金属原子の堆積膜内への混入を防止し、高純度の薄膜を堆積できる。
Claim (excerpt)：
ターゲットを設置する第1の電極と、基板を設置する第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極との間にコイル状の第3の電極を有するスパッタリング装置において、前記コイル状の第3の電極を該電極により発生したプラズマから遮蔽する遮蔽物を有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3)：
C23C 14/34
, C23C 14/42
, H01L 21/203
C23C 14/34 T
, C23C 14/42
, H01L 21/203 S
