プラチナ下部電極および強誘電性キャパシタの製造方法、ならびに強誘電性キャパシタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：打揚洋次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001125655
Publication number (International publication number)：2001313376
Application date： Apr. 24, 2001
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来技術の、プラチナ下部電極の低温堆積技術を利用して製造した強誘電性キャパシタと比較して、疲労に対する抵抗性の改善された強誘電性キャパシタを提供し、また、従来技術の強誘電性キャパシタスタックと比較して、強誘電性キャパシタスタックの全体としての応力を減じ、かつその熱安定性を高めること。【解決手段】基板上の強誘電性キャパシタにおいて使用するのに適した下部電極の製造方法であって、該基板上に接着層を形成する工程と、該接着層上に300〜800°Cにて堆積されるプラチナ薄膜層を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

基板上の強誘電性キャパシタにおいて使用するのに適した下部電極の製造方法であって、該基板上に接着層を形成する工程と、該接着層上に、300〜800°Cにて堆積されるプラチナ薄膜層を形成する工程とを含むことを特徴とする該下部電極の製造方法。

F-Term (8)：

5F083FR01 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083PR06 , 5F083PR22 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強誘電体キャパシタの形成方法及び不揮発性半導体記憶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-354710 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-016399 Applicant：株式会社日立製作所
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-232509 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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