Pat
J-GLOBAL ID：200903016547405713
自動調心陰極パターンを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994068667
Publication number (International publication number)：1995015011
Application date： Apr. 06, 1994
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 完全にセルフアライニング(自動調心)であるべく作り出されうるパターンによって均一ターンオフ電流分布が得られる新たなバイポーラ型MOSFET(IGBT)を提供する。【構成】 バイポーラ型MOS FET(IGBT)は、自動調心方法によって作り出されうるコレクタ(7)及びソース領域(8)を特定する。これは、均一ターンオフ電流分布によって特徴付けられるIGBTを提供する。この目的のために、ソース領域(8)の幅Wは、ホールズが取り囲んでいるコレクタ領域に横方向に流入できるように小さくあるべく選択される。この関係において、ソース領域及びコレクタ領域のPN接合にわたる電圧降下が固有順電圧以下に常時とどまることを確実にしなければならない。その結果、本発明によるIGBTは、ラッチアップに対して特に不感応である。
Claim (excerpt)：
第1及び第2の主区域と境をなす第1の導電型の半導体基板と、前記第1の主区域に割り当てられる陰極、及び前記第2の主区域を覆っているメタリゼーションによって形成される陰極と、前記陽極側主区域から前記半導体基板に挿入される第2の導電型のエミッタ層と、前記半導体基板が二つの隣接コレクタ領域間の前記陰極側主区域に浸透しており、前記陰極側主区域から前記半導体基板に挿入される前記第2の導電型の複数のコレクタ領域と、前記陰極側主区域上に絶縁して配置され、かつ、コレクタ領域から表面に浸透している半導体基板にわたり前記隣接コレクタ領域へ伸長する導電性層によって形成されるゲート電極と、コレクタ領域中に挿入され、かつ長さL及びそれに対し直角で隣接コレクタ領域の方向の幅Wを示す前記第1の導電型の多数のソース領域とを備え、前記ソース領域の前記幅Wは、前記陽極から前記ソース領域の下部の陰極へ流れるホールズが、周囲のコレクタ領域に横方向に流れ込み、そしてホールフローによって順方向に極性され、前記ソース領域及び前記隣接コレクタ領域によって形成されるPN接合にわたる電圧降下が常時PN接合の組み込み順電圧以下にとどまるように小さくあるべく選択されることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
FI (3)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 S
, H01L 29/78 321 W
