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J-GLOBAL ID：200903016547971590

フォトダイオード

Inventor： 徳田 敏
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114874
Publication number (International publication number)：1995321368
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 入射光を効率的に屈折させ、反射防止効果を向上させる。また、反射防止膜の屈折率を任意に設計でき、基板や検出光波長に対してフレキシブルに設計できるフォトダイオードを提供する。【構成】 反射防止膜を基板の受光面上に形成する際に、膜の膜厚方向における屈折率を、連続的に増加するよう形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板の上面に、受光面を有する第2導電型の導電層が形成され、その受光面上に反射防止膜が形成されたフォトダイオードにおいて、上記反射防止膜は、膜厚方向における屈折率が、連続的に増加するように形成されていることを特徴とするフォトダイオード。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 F