ノッチ付き半導体ウェーハ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995140106
Publication number (International publication number)：1996316112
Application date： May. 16, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体ウェーハにおいて、オリフラやレーザマークの加工による有効面積減少、製造コスト上昇を最小限に抑え、かつ、レーザマークによる発塵等の品質問題を起こさずにウェーハの表裏を容易に判別できるようにする。【構成】ウェーハ1の結晶方位を判別するためのV字状のノッチ2を前記ウェーハ1の外周の所定位置に設ける。前記ノッチ2の縁部に沿って設ける面取りの大きさを、ウェーハの表面側ではウェーハ1の外周の面取り3と同一寸法に、裏面側の面取り4は前記面取り3より十分に大きい寸法とする。面取りの大きさがウェーハの表面側と裏面側とで明らかに異なるため、ウェーハの表裏判別は目視により容易に行うことができる。ウェーハ外周の面取りは従来と同じく表裏同一寸法であり、ダブルオリフラカットに比べてウェーハ有効面積の損失が小さい。また、レーザマーク加工は不要である。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの外周の所定位置に前記ウェーハの結晶方位を判別するノッチを設けたノッチ付き半導体ウェーハにおいて、ノッチの縁部に沿って設ける面取りの大きさをウェーハの表面側と裏面側とで異なる寸法とすることを特徴とするノッチ付き半導体ウェーハ。

FI (2)：

H01L 21/02 B , H01L 21/02 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平2-240912
特開平2-144908
半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-168190 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社