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J-GLOBAL ID：200903016561021375

フォトレジスト及びこのフォトレジストを用いた半導体装 置の製造方法

Inventor： 塘 洋一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991313696
Publication number (International publication number)：1994110210
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】雰囲気等の外的条件に影響されずに、形状の良好なレジストパターンを得ることができるフォトレジスト、及びこのようなフォトレジストを用いた半導体装置の製造方法の提供。【構成】酸により溶解に対する保護基が外される等で現像液可溶性となる化合物と、活性エネルギー線の照射により酸を発生する化合物(光酸発生剤)を含有するフォトレジスト組成物上に、ロジン等の酸性ポリマー、PVA等の水性ポリマー、ポリラダーシロキサン等のポリシロキサン系ポリマー、フロロカーボン系ポリマー等から成膜されたガス不透過性ポリマーを形成したフォトレジスト、及びこれを用いた半導体装置の製造方法であり、このフォトレジストよりひだ張りのない良好なレジストパターン1が得られる。

Claim (excerpt)：

酸により現像液可溶性となる化合物と、活性エネルギー線の照射により酸を発生する化合物を含有するフォトレジスト組成物上に、ガス不透過性ポリマーを形成したことを特徴とするフォトレジスト。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312