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J-GLOBAL ID：200903016563138873
半導体集積回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993217591
Publication number (International publication number)：1995074610
Application date： Sep. 01, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電源ノイズによる誤動作を防止する半導体集積回路を提供する。【構成】 電源立ち上げ時、あるいはノイズによる電源電圧の変動を検出するキャパシタ16と、後段の回路6に対し信号を出力する前段の回路4の出力端子(ノード1)に接続され、キャパシタ16が検出した上記変動を制御信号として受けて、ノード1がLレベルのときに、上記変動によりノード1のレベルが上昇しないように、その上昇を抑圧する電圧(GNDレベル)を供給するトランジスタ15とを備えた半導体集積回路である。
Claim (excerpt)：
後段の回路に対し信号を出力する前段の回路の出力端子に接続され、上記出力端子の電圧の変動を抑制する抑制回路を備えた半導体集積回路において、電源電圧の変動を検出する検出回路を備えるとともに、上記抑制回路を、上記検出回路の出力に基づき、上記出力端子の電圧の変動を抑制する構成としたことを特徴とする半導体集積回路。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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