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J-GLOBAL ID：200903016563825161

電荷転送素子

Inventor： 山本 裕將
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234011
Publication number (International publication number)：1995066389
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 信号電荷の検出を浮遊拡散層をゲート領域とする接合型FETで行うCCDにおいて、浮遊拡散層の容量を増加させることなくゲートの電圧変化に対するドレイン電流の変調度を大きくする。【構成】 n型半導体基板上のp型ウェルの表面にp+ 型素子分離領域3を形成し、素子分離領域3で区画された領域内に転送チャネル領域、n型の環状接合ゲート領域7、リセットドレイン13を形成する。環状接合ゲート領域7の中央にp+ 型のソース領域8を設け、またゲート領域7の中に環状のn+ 型不純物層15を形成する。ゲート領域7に隣接する素子分離領域3がドレイン領域9となる。ゲート領域7下において、p型ウェルの底面下に第2のp型ウェル16を形成し、接合型FETのドレイン電流がここを流れるようにする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第2導電型のウェルと、前記ウェル内に形成された第1導電型の拡散層を電荷転送領域とし、該電荷転送領域上に絶縁膜を介して形成された複数の導電層を電荷転送電極とする電荷転送レジスタと、前記電荷転送領域の後段の前記ウェル内に形成された第1導電型の浮遊拡散層をゲート領域とし、該浮遊拡散層の中央部に該浮遊拡散層を貫通して形成された第2導電型の拡散層をソース領域とし、前記ウェルをチャネル領域およびドレイン領域とする接合型電界効果トランジスタと、前記電荷転送領域から前記浮遊拡散層に転送されてきた信号電荷を排出するための電荷排出手段と、を備える電荷転送素子において、前記浮遊拡散層内には該浮遊拡散層を縦方向に貫通する環状の第1導電型高不純物濃度領域が形成されていることを特徴とする電荷転送素子。

IPC (2)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電荷転送装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-294660   Applicant：日本電気株式会社