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J-GLOBAL ID：200903016580696820

半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置

Inventor： 吉田 知佐 ,  速水 善範
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184560
Publication number (International publication number)：1999014543
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 透過法では不可能であった低抵抗率(例えば20mΩ・cm以下、特には10mΩ・cm以下)の半導体シリコン結晶中の酸素濃度を、非破壊かつ低コストで、高感度に再現性良く評価する方法および装置を提供する。【解決手段】 半導体シリコン結晶に、2000cm-1以下の任意の波数を含む光を照射し、その反射光の照射光に対する振幅比ψ及び位相差Δから前記任意の波数における誘電関数実数部をもとめ、この値から前記半導体シリコン結晶中に含まれる酸素濃度に関する評価を行なう。

Claim (excerpt)：

半導体シリコン結晶に、2000cm-1以下の任意の波数を含む光を照射し、その反射光の前記照射光に対する振幅比ψ及び位相差Δから前記任意の波数における誘電関数実数部をもとめ、この値から前記半導体シリコン結晶中に含まれる酸素濃度の評価を行なうことを特徴とする半導体シリコン結晶の酸素濃度評価方法。

IPC (2)：

G01N 21/35 ,  H01L 21/66

FI (2)：

G01N 21/35 Z ,  H01L 21/66 N