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J-GLOBAL ID：200903016584329725

超電導体およびその製造方法

Inventor： 堀内 健 ,  信正 均
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001519
Publication number (International publication number)：1995206436
Application date： Jan. 12, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：

【要約】【構成】 次式:(CaαSr1-α)βCuOγ(ただし、α、β、γは0≦α≦1.0、0.8≦β≦1.1、1.8≦γ≦2.2を満足する数を表す。)で表される酸化物の層と、結晶単位格子の少なくとも1つの結晶面内において、0.37nm以上、0.39nm以下の陽イオン間距離、あるいは、該酸化物の層の結晶学的なa軸長との差が±3%以内の陽イオン間距離を結晶構造中に有する銅化合物とが層状をなしていることを特徴とする超電導体。【効果】本発明によると、格子の不整合がないので、優れた超電導体を安定して製造することができる。したがって、ブロッキング層の種類が多くて種々の応用に対応できる超電導体と、超電導体中のCu-O2 面数を制御することにより高い超電導転移温度を有するそれを、再現よく製造することができる。

Claim (excerpt)：

次式:(CaαSr1-α)βCuOγ(ただし、α、β、γは0≦α≦1.0、0.8≦β≦1.1、1.8≦γ≦2.2を満足する数を表す。)で表される酸化物の層と、結晶単位格子の少なくとも1つの結晶面内において、0.37nm以上、0.39nm以下の陽イオン間距離を結晶構造中に有する銅化合物とが層状をなしていることを特徴とする超電導体。

IPC (7)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  C23C 14/08 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA