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J-GLOBAL ID：200903016598997879

マイクロ波プラズマCVD装置

Inventor： 石堀 宏一 ,  大平 義和 ,  八木 優 ,  渋木 邦夫
Applicant, Patent owner： 電気興業株式会社 ,  東芝タンガロイ株式会社
Agent (1)： 奥山 尚男 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991308404
Publication number (International publication number)：1993117866
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 マイクロ波によるプラズマへのエネルギー供給効率を向上し、大面積基板に均一な薄膜を形成する。【構成】 反応室内に伝送手段を介してマイクロ波を導入することにより、ガスを励起してプラズマを発生させ、基板上に薄膜を形成する装置において、前記伝送手段を方形導波管と、長さが半波長程度のスリット状の結合孔を複数個設けた共振孔形モード変換部と、前記反応室を収容する円形導波管とから構成し、前記マイクロ波を方形導波管モードから円形導波管の所定のモードに変換するとともに、前記モード変換部と反応室のマイクロ波導入窓との距離を変えることができる構造とする。

Claim (excerpt)：

内部に基板が置かれた反応室にガスを供給すると共に、排気しながら任意のガス圧力に設定し、かつ前記反応室内に伝送手段を介してマイクロ波を導入することにより、前記ガスを励起してプラズマを発生させ、前記基板にダイヤモンドあるいはダイヤモンド状炭素膜(DLC)を形成する装置において、前記伝送手段が、方形導波管と、長さが半波長程度のスリット状の結合孔を複数個設けた共振孔形モード変換部と、前記反応室を内部に収容する円形導波管とから構成され、前記マイクロ波を前記モード変換部を介して、方形導波管モードから円形導波管の所定のモードに変換するとともに、前記モード変換部と反応室のマイクロ波導入窓との距離を変えることができる構造としたことを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/04