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J-GLOBAL ID：200903016599245048

半導体装置と液晶表示装置

Inventor： 及川 三郎 ,  小野 記久雄 ,  小西 信武 ,  山本 英明 ,  月井 教男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291277
Publication number (International publication number)：1994138487
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 配線材料の各種特性間のトレイドオフを改善して生産時の歩留まりの向上を図ることができること。【構成】 TFT基板を構成するゲート端子部50、配線交叉部51、TFT及び画素部52、付加容量部53のうちゲート配線12、信号配線18の配線材料として、Al-Ti-Taを用い、TiとTaを合わせ成分量を重量比で全体の0.8〜8.5%に設定する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁基板上に複数の走査信号線と複数の映像信号線が互いに絶縁された状態で格子状に積層され、各走査信号線の端部がゲート端子に接続され、透明絶縁基板上の領域が各走査信号線と各映像信号線とにより複数の表示領域に分割されており、各表示領域に付加容量と薄膜トランジスタが走査信号線及び映像信号線と絶縁された状態で積層され、各表示領域中の付加容量と薄膜トランジスタが互いに接続され、各付加容量が走査信号線に接続され、各薄膜トランジスタが映像信号線に接続され、各薄膜トランジスタのゲート電極が走査信号線に接続されている半導体装置において、前記走査信号線と映像信号線のうち少なくとも一つの信号線は、アルミニュウム(Al)を主成分としてその成分中に少なくともチタン(Ti)とタンタル(Ta)を含む合金で構成され、チタンとタンタルとを合わせた成分量が重量%で前記合金全体の0.8〜8.5%に設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G