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J-GLOBAL ID：200903016606489144

半導体レーザー

Inventor： 関 章憲
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 岡田 英彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992356021
Publication number (International publication number)：1994090063
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高出力用半導体レーザーの低消費電力化及び製品歩留りの向上を図ること。【構成】 半導体レーザーにおいて、積層するように成長形成された第1レーザー構造1及び第2レーザー構造2の間にトンネルダイオード構造3が成長形成されているので、このトンネルダイオード構造3が前記第1レーザー構造1及び第2レーザー構造2を結合している。更に、前記各レーザー構造1・2の順方向と前記トンネルダイオード構造3の順方向が逆に接続されているので、前記各レーザー構造に順方向電流を流したとき、前記トンネルダイオード構造3に逆バイアスが印加されるが、前記トンネルダイオード構造3の逆バイアス時の電圧降下は極めて小さい。

Claim (excerpt)：

順方向に電流を流すとレーザー光を発生する半導体レーザーにおいて、第1レーザー構造、トンネルダイオード構造及び第2レーザー構造を積層するように順次成長させ、前記第1レーザー構造及び第2レーザー構造の順方向を前記半導体レーザーの順方向と同じ向きとし、前記トンネルダイオード構造の順方向を前記半導体レーザーの順方向と逆向きに形成したことを特徴とする半導体レーザー。