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J-GLOBAL ID：200903016607789087

レーザアニール装置

Inventor： 武久 究 ,  矢野 眞 ,  桑原 皓二 ,  小川 和宏 ,  三上 佳朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193716
Publication number (International publication number)：1994045272
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【構成】Qスイッチにより、数十kHz程度の繰返し数で発生されたYAGレーザの第4高調波であるレーザ光6は、ポリゴンミラー7でスキャンされながら、シリコン基板2に照射される。レーザ光6はシングルモードで取り出されるため、トランジスタが形成される微小領域のみがアニールされる。【効果】一つのトランジスタが形成される領域は、1発のパルスレーザ光でカバーされるため、アニール後の電気的特性がばらつかない。しかも、トランジスタの領域以外はほとんど照射されずに済むため、レーザ光の全エネルギは少なくて済み、また、アニール処理の時間も短縮される。

Claim (excerpt)：

Qスイッチを含むYAGレーザからのパルス状のレーザ光を波長変換したパルスレーザ光を、シリコンからなる膜に照射させることを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01S 3/00