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J-GLOBAL ID：200903016621329307

トンネリング電界効果トランジスタ

Inventor： 木村 亨
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046460
Publication number (International publication number)：1993267353
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 トンネル効果による微分負性抵抗を利用した機能トランジスタのリーク電流を減少させトンネル電流を増加させる。【構成】 第一の半導体p-GaSb1と、第一の半導体の第一イオン化エネルギーより大きな電子親和力を持つ第三の半導体i-InAs3が障壁層となる薄い第二の半導体i-AlSb2をはさんでヘテロ接合しているトランジスタである。AlSb2とInAs3の界面のInAs側に2次元電子ガスが形成されている。InAs3中の量子準位は、ゲート電圧をマイナスからプラス方向へ加えていくとある電圧のときにp-GaSb1の価電子帯のエネルギーと同じになる。するとi-AlSb2を通してバンド間トンネリングが生じ、ドレイン電流が増加する。この電圧の前後ではドレイン電流は少ないので、ドレイン電流はゲート電圧に対して微分負性抵抗をもつ。しかもバンド間トンネリングを使うのでリークを制御でき、トンネル電流も大きい。

Claim (excerpt)：

p型の伝導特性を持つ第一の半導体と、第一の半導体より電子親和力が小さく第一イオン化エネルギーが大きい第二の半導体、真性で第一の半導体の第一イオン化エネルギーより大きな電子親和力を持つ第三の半導体により構成され、第二の半導体は第一の半導体から第三の半導体にトンネル電流が流れるのに十分なほど薄く、第三の半導体上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を持つことを特徴とするトンネリング電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/804

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A