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J-GLOBAL ID：200903016645561065

光半導体装置

Inventor： 高岡 圭児 ,  黒田 文彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991192264
Publication number (International publication number)：1993037087
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上に設ける半導体レーザ設置用の凹部の深さを高精度に設定することができ、半導体基板上で半導体レーザと光ファイバとを正確に光結合させることができる光半導体装置を提供すること。【構成】 半導体基板10上に凹部10aとV溝10bを形成し、凹部10aに半導体レーザ30を設置すると共に、V溝10bに光ファイバ20を設置して、半導体レーザ30及び光ファイバ20を光結合した光半導体装置において、半導体基板10を2枚のシリコンウェハ11,13をシリコン酸化膜12を介して接着した接着基板で構成し、この接着基板10の一方のウェハ13をシリコン酸化膜12に達するまで選択エッチングして凹部10aを形成するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

2枚の半導体ウェハを絶縁膜を介して接着してなり、一方のウェハを絶縁膜に達するまで選択エッチングして凹部又は凸部が形成された接着基板と、この接着基板の凹部又は凸部に対応する凸部又は凹部を有し、凹部と凸部を嵌め合わせて該基板と一体化された光半導体素子と、前記基板に形成又は該基板に固定され、前記光半導体素子と光結合された光部品とを具備してなることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 33/00