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J-GLOBAL ID：200903016666855476

集束イオンビーム装置

Inventor： 長町 信治
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994324990
Publication number (International publication number)：1996181105
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁物に対しても正確な微細加工を行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。【構成】 イオン源1から発生した正インビームはコンデンサレンズ2で集束力を受け平行に近い状態となって荷電変換器3に入射し、負イオンビームに変換される。荷電変換器3で変換された負イオンビームは、質量分離器4とアパーチャ5により目的とする負イオンのみが選別され、ディフレクタ6によりビーム軌道を偏向された後、対物レンズ7により集束されて絶縁体で構成されたサンプル基板10に到達する。このとき、サンプル基板10は負電荷にチャージアップされるが、その一部が2次電子として放出されるため、入射する負イオンビームと放出される2次電子の電荷量が釣り合い、サンプル基板10が数ボルト以上にチャージアップされることはない。

Claim (excerpt)：

正イオンビームを発生するイオン源と、発生した正イオンビームを負イオンビームに変換する荷電変換器と、変換された負イオンビームから必要な負イオンのみ選別する質量分離器と、選別された負イオンビームを偏向させつつサンプルステージに導く偏向電極と、を備えたことを特徴とする集束イオンビーム装置。