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J-GLOBAL ID：200903016694195848

半導体レーザ素子

Inventor： 福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001034910
Publication number (International publication number)：2002237648
Application date： Feb. 13, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 InGaAlN系の材料からなる半導体レーザ素子において、低出力から高出力まで、高信頼性でかつ高品質なガウス型のレーザ光を得る。【解決手段】 GaN層8上に、n-GaNコンタクト層9、n-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層10、n-Ga1-z2Alz2N光導波層11、Inx2Ga1-x2N(Si-ドープ)/Inx1Ga1-x1N多重量子井戸活性層12、p-Ga1-z3Alz3Nキャリアブロッキング層13、p-Ga1-z2Alz2N光導波層14、p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層15およびp-GaNコンタクト層16を形成してなる共振器端面に、SiN膜を1nm程度形成する。その後、SiO2/TiO2の誘電体多層膜からなる高反射率コートおよびSiO2からなる低反射コートを行う。SiN膜を共振器端面に接して形成することにより、非発光再結合中心を低減でき、経時信頼性を向上できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも第一導電型コンタクト層、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層および第二導電型コンタクト層をこの順に積層されてなる共振器の前記活性層より上に電流注入窓が形成されており、該共振器がInGaAlN系の材料から構成されている半導体レーザ素子において、前記共振器の共振器面に接して、窒化物からなる誘電体膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/028 ,  G11B 7/125

FI (2)：

H01S 5/028 ,  G11B 7/125 A

F-Term (19)：

5D119AA33 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28