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J-GLOBAL ID：200903016698908857

半導体製造装置

Inventor： 保坂 英二 ,  稲泉 吉洋 ,  谷山 智志
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993153749
Publication number (International publication number)：1995014795
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反応炉の炉口下部内の雰囲気を、不活性ガスで置換し、炉口下部のガス濃度を均等にする。【構成】 反応炉1内に、半導体基板2を炉口3より搬入して処理する半導体製造装置にガス導入装置4を設け、このガス導入装置4の吐出口に、炉口下部3Dの雰囲気を不活性ガスで置換するべく多数のガス吹出口5を有するガスパイプ6を連結してなる。

Claim (excerpt)：

反応炉(1)内に、半導体基板(2)を炉口(3)より搬入して処理する半導体製造装置において、ガス導入装置(4)を設け、このガス導入装置(4)の吐出口に、炉口下部(3D)の雰囲気を不活性ガスで置換するべく多数のガス吹出口(5)を有するガスパイプ(6)を連結してなることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68