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J-GLOBAL ID：200903016705899176

加工方法及び電子デバイスの製造方法

Inventor： 奥村 智洋 ,  斎藤 光央 ,  木村 忠司 ,  矢代 陽一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001231434
Publication number (International publication number)：2003045855
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウムガリウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチング加工するに際して、高いエッチング選択比で加工する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給装置2からアルゴンと塩素の混合ガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力をアンテナ5に供給することにより、真空容器1内にプラズマを発生させ、基板電極6上に載置された基板7上に形成された窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングするに際し、基板に90MHzの高周波電力を供給する。

Claim (excerpt)：

真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上に形成された窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングする加工方法であって、基板電極に30MHz乃至150MHzの高周波電力を供給することを特徴とする加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/302 A ,  H01L 29/80 B

F-Term (22)：

5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102HC16