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J-GLOBAL ID：200903016715488166

酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor： 清水 秀樹 ,  谷 信 ,  松田 和幸
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076609
Publication number (International publication number)：1993279030
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 気孔率が7%未満であるバルク状酸化物超電導体。酸化物超電導体の原料粉末又は仮焼粉末を成形した成形体を加熱して溶融した後、熱処理を行い結晶化する酸化物超電導体の製造方法において、酸素濃度が25重量%以上の雰囲気中で溶融を開始させ、次いで溶融開始時よりも酸素濃度が低い雰囲気中で溶融処理を行うバルク状酸化物超電導体の製造方法。【効果】 溶融物にとけ込んでいる気体を除去することにより酸化物超電導体へ気体の取り込みを防止し、気孔率の小さなバルク状酸化物超電導体が得られる。

Claim (excerpt)：

気孔率が7%未満であることを特徴とするバルク状酸化物超電導体。

IPC (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/02 ZAA ,  H01B 13/00 565