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J-GLOBAL ID:200903016719996603

高分子金属錯体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991236373
Publication number (International publication number):1993070592
Application date: Sep. 17, 1991
Publication date: Mar. 23, 1993
Summary:
【要約】【目的】 トリスビピリジン金属錯体もしくはその類似体の金属錯体を含む高分子金属錯体で、ラングミュアーブロジェット法で製膜可能な高分子金属錯体を得る。【構成】 ポリイミド金属錯体。
Claim (excerpt):
下記一般式【化1】〔式中のR1 は4価の有機基、R2 は下記式【化2】{式中のL1 およびL2 は次式【化3】(式中のRは水素原子、メチル基またはフェニル基を示す)で表わされる配位子であり、X- はアニオンを示す}で表わされる金属錯体であり、1つの2,2′-ビピリジンがその5,5′の位置においてイミド環の窒素Nに結合している。〕で表わされる繰り返し単位を有するポリイミドを構成成分とする高分子金属錯体。
IPC (4):
C08G 73/10 NTN ,  C08G 79/14 NUR ,  C08J 5/18 CFG ,  C08L 79:08

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