半導体製造工場向け各種ガスの製造方法及び装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：木戸一彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096200
Publication number (International publication number)：1994304432
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】高純度空気を製出するとともに高純度窒素を製造し、同時に酸素富化空気も製品として供給することができる半導体産業向け高純度空気及び空気原料諸ガスの製造方法及び装置を提供する。【構成】原料空気を3乃至10kg/cm2 Gに圧縮し、触媒塔8に導入して極微量の一酸化炭素及び水素を二酸化炭素及び水分に変換し、触媒反応後の昇温空気を冷却後に吸着塔12a,12bに導入し、二酸化炭素、水分及びその他の不純物を吸着除去し、得られた精製空気の一部を高純度製品空気として導出し、他部を主熱交換器18に導入して略液化温度にまで冷却し、単精留塔19に導入して液化精留を行い、塔頂部から高純度窒素を導出して前記主熱交換器18を経て製品として採取するとともに、塔底部から酸素富化液化空気を導出して凝縮蒸発器24に導入し気化して導出し、前記主熱交換器18に導入して中間温度まで昇温後導出して膨張タービン35に導入し、膨張降温して寒冷発生後、寒冷を回収して精製酸素富化空気として採取する。

Claim (excerpt)：

所定圧力に圧縮した原料空気を触媒塔に導入して含有する一酸化炭素及び水素を触媒反応により二酸化炭素及び水分に変換し、該触媒反応後の昇温空気を5〜10°Cに冷却後、吸着塔に導入して二酸化炭素,水分及びその他の微量不純物を吸着除去して精製し、得られた精製空気の一部を製品高純度空気として採取し、残部の精製空気を主熱交換器に導入して帰還ガスとの熱交換により略液化温度にまで冷却し、冷却後の精製空気を単精留塔に導入して液化精留を行い、該単精留塔の頂部から高純度窒素を導出して前記主熱交換器で寒冷を回収後に製品高純度窒素ガスとして採取するとともに、前記単精留塔の底部から酸素富化液化空気を導出し、膨張させて前記単精留塔の凝縮蒸発器に導入し、該凝縮蒸発器で気化して導出した酸素富化空気を前記主熱交換器に導入して中間温度まで昇温し、該中間温度の酸素富化空気を膨張タービンに導入して膨張降温させて寒冷を発生させた後、再度前記主熱交換器に導入して寒冷を回収し、製品酸素富化空気として採取することを特徴とする半導体製造工場向け各種ガスの製造方法。

IPC (5)：

B01D 53/04 , B01D 53/26 101 , F25J 3/04 , F25J 3/08 , H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭61-225568
特開昭62-158979

Cited by examiner (2)

特開昭61-225568
特開昭62-158979

Return to Previous Page