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J-GLOBAL ID：200903016741584564

移相器

Inventor： 上西 直太 ,  早味 宏 ,  阪本 義人 ,  西村 昭 ,  斉藤 瓊郎 ,  大見 則親
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998038837
Publication number (International publication number)：1999239002
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 位相遅延量を連続的に調整することができ、システムの低コスト化を図ることができ、かつコンパクトな移相器を提供する。【解決手段】 移相器1は、金属平板2上に強誘電体層3を形成し、さらにその上に金属ストリップ4を形成したものである。金属ストリップ4と金属平板2の間の直流電圧を変化させると、強誘電体層3の誘電率が変化してマイクロ波αの位相遅延量が変化する。したがって、直流電圧を調整することで位相遅延量を連続的に調整できる。

Claim (excerpt)：

1THz以下の電磁波の位相を遅延させるための遅延量の制御が可能な移相器であって、互いに対向して設けられ、前記電磁波を伝送するとともに、一方と他方の間に前記遅延量を制御するための前記電磁波よりも低い周波数の制御電圧が印加される1対の伝送線、および前記1対の伝送線の間に設けられ、前記制御電圧に応じてその誘電率が変化する絶縁性物質を備える、移相器。