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J-GLOBAL ID：200903016754960034

レジストパターンの形成方法

Inventor： 栗原 正彰
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 米澤 明 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991174064
Publication number (International publication number)：1993019476
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高解像度レジストのレジストパターンの断面形状を改善する。【構成】 基板上に塗布したレジスト薄膜上に酸発生剤層の塗布膜を設け、パターン露光した後に、酸発生剤層を除去し現像することによってレジスト上層部での架橋密度を高めることによって、化学増幅系レジストを使用した場合に生じるレジストの上部が丸みを帯びて幅が狭くなることを防止し、高精度のレジストパターンを得る。

Claim (excerpt)：

基板上に化学増幅系レジストのレジストパターンを形成する方法において、レジストの薄膜上に酸発生剤の塗布膜を形成した後に、電離放射線によってパターン露光することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/00 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 U