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J-GLOBAL ID：200903016764965832
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992129466
Publication number (International publication number)：1993299497
Application date： Apr. 21, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 微細化トランジスタとその分離方法において、トレンチ分離部のエッジ部でのリーク電流を低減でき、コンタクト面積を大きくとれ、コンタクト抵抗を低減できる、高性能のトランジスタ及び分離を持つ素子を得る。【構成】 素子分離用トレンチ部の基板表面のエッジを削り、ソース・ドレイン部も曲率を持たせる構造にする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲートポリシリコンとソース,ドレイン部とからなるMOSトランジスタ、及び、隣接するMOSトランジスタ間の分離を行うトレンチ分離構造を有する半導体装置において、トレンチ分離部の半導体基板表面上のエッジ、及び、半導体基板表面の活性層となるべきところが曲率をもったなめらかな形状であることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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