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J-GLOBAL ID：200903016768636272

空間光変調素子の製造方法

Inventor： 朝山 純子 ,  滝本 昭雄 ,  秋山 浩二 ,  蔵富 靖規 ,  小川 久仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341470
Publication number (International publication number)：1993173173
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 配向膜とその下側の反射層をレジストを用いて画素毎に分離することにより強誘電性液晶の配向エネルギーの最小化を図り、高解像度、高密度な画素を形成する。【構成】 ガラス基板1の上に透明電極2と、光導電層(3〜5)と反射層6を形成し、その上にポリアミック酸6を塗布する。次いで80°C〜200°C程度の温度でイミド化率を制御して反射層との密着性を上げておく。次にレジスト14を画素単位に塗布し、エッチャント等により微小画素で反射面となる反射層6を形成し、反射層6の微小画素上のみ液晶層を配向させる高分子膜ポリイミド薄膜7のある構造とする。

Claim (excerpt)：

一方の基板に少なくとも透明電極と光導電層と反射層と配向膜を備え、他方の基板に少なくとも透明電極と配向膜を備え、前記基板間に強誘電性液晶を封入した空間光変調素子の製造方法であって、前記一方の基板側に一様に成膜された反射層上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸高分子を一様に塗布して薄膜形成した後、画素単位に分離し、次いでその下部に位置する前記反射層を前記ポリアミック酸高分子膜と同一形状の画素に分離し、しかる後加熱して前記ポリアミック酸高分子薄膜をポリイミド薄膜とすることを特徴とする空間光変調素子の製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/135 ,  G02F 1/1337 510