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J-GLOBAL ID：200903016778296518

多結晶太陽電池及び多結晶太陽電池の製造方法

Inventor： 石原 俊一 ,  中川 克己 ,  西田 彰志 ,  佐藤 宏
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001103691
Publication number (International publication number)：2002299669
Application date： Apr. 02, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 特性の良好な多結晶太陽電池及び多結晶太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】多結晶シリコン基板11上に、活性層12及び活性層12と反対極性の半導体層13とから構成された多結晶太陽電池において、活性層12が基板11の結晶構造を反映して成長した多結晶よりなり、活性層12を形成する多結晶の粒界部16における膜厚が多結晶粒中心部の膜厚よりも小さく、粒界部16が溝状となることにより粒界部16上の半導体層13に溝が形成され、溝に発電電流を取り出すための電極14が埋め込まれている。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン基板上に、活性層及び該活性層と反対極性の半導体層とから構成された多結晶太陽電池において、該活性層が基板の結晶構造を反映して成長した多結晶よりなり、該活性層を形成する多結晶の粒界部における膜厚が多結晶粒中心部の膜厚よりも小さく、該粒界部が溝状となることにより該粒界部上の前記半導体層に溝が形成され、該溝に発電電流を取り出すための電極が埋め込まれていることを特徴とする多結晶太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 A

F-Term (9)：

5F051AA03 ,  5F051CB04 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051FA14 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F051HA03