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J-GLOBAL ID：200903016786229510
p型AlGaN系半導体の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤本 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163217
Publication number (International publication number)：1996008460
Application date： Jun. 22, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 アニーリング処理や電子線処理の必要なく低抵抗のp型GaN系半導体を形成できて、その製造効率に優れる方法を得ること。【構成】 サファイア又は窒化ガリウムからなる基板(1)上に、n型GaN系半導体層(2)を介して、p型不純物をドープした、一般式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(ただし、0<x<1)で表されるAlGaN系半導体層(4)を気相成長させたのち、その上にn型半導体層(5)を気相成長させた状態で冷却するp型AlGaN系半導体の製造方法。【効果】 GaN系半導体層の気相成長によるas-grownの状態で低抵抗のp型AlGaN系半導体を形成でき、基板上にGaN系のp-n接合を一連の操作で形成できる。
Claim (excerpt)：
サファイア又は窒化ガリウムからなる基板上に、n型GaN系半導体層を介して、p型不純物をドープした、一般式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(ただし、0<x<1)で表されるAlGaN系半導体層を気相成長させたのち、その上にn型半導体層を気相成長させた状態で冷却することを特徴とするp型AlGaN系半導体の製造方法。
IPC (2)：
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