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J-GLOBAL ID：200903016800290952
赤外線検出器とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993147162
Publication number (International publication number)：1995014996
Application date： Jun. 18, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 画素間のクロストークが生じず、かつ高密度に集積された赤外線検出器を得る。【構成】 高エネルギーの電子線やプロトンビームを打ち込むことにより、赤外線検出領域よりCd組成の大きいカドミウム水銀テルル分離層8を設ける。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のCdHgTe層を形成する工程と、該CdHgTe層表面に、複数個の互いに分離された第2導電型のCdHgTe領域を形成する工程と、上記第2の導電型のCdHgTe領域間に露出した、上記第1導電型のCdHgTe層の表面から荷電粒子ビームを打ち込むことによってその表面からHgを蒸発させて、上記第1のCdHgTe層を貫通し、かつ、個々の上記第2のCdHgTe領域を完全に包囲する、上記第1の導電型のCdHgTe層よりもCd組成の大きい第1導電型CdHgTe分離層を形成する工程を含むことを特徴とする赤外線検出器の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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