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J-GLOBAL ID：200903016805262353
半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273877
Publication number (International publication number)：1996139414
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 発光部を形成する半導体の結晶を高品質に保ち、かつ、反射部の反射率を高く保つことを容易に両立させることができる、新規な共振器構造を有する半導体レーザを提供すること。【構成】 発光部2を含む複数の半導体層が結晶基板1上に積層されてなる積層体Sと、この積層体Sを積層方向に直接または間接的に挟んで形成される一対の反射部3a、3bとを有し、この一対の反射部が、発光部から発せられた光を積層方向に共振させる共振器構造であることを特徴とする表面放射型の半導体レーザである。発光部が、InGaAlN系の化合物半導体からなる多層構造のとき、結晶基板の材料は、サファイア、GaN、SiC、ZnO等が良く、反射部は、InGaAlN系の化合物半導体からなる多層構造、または、誘電体多層膜が好ましい。
Claim (excerpt)：
発光部を含む複数の半導体層が結晶基板上に積層されてなる積層体と、この積層体を積層方向に直接または間接的に挟んで形成される一対の反射部とを有し、この一対の反射部が、発光部から発せられた光を積層方向に共振させる共振器構造であることを特徴とする表面放射型の半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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