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J-GLOBAL ID：200903016833218882

半導体レーザアレイとその製造方法

Inventor： 深谷 一夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991072686
Publication number (International publication number)：1994053595
Application date： Apr. 05, 1991
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】同一基板上に発振波長の異なる半導体レーザアレイを形成する。【構成】n型GaAs基板上に、ノンドープ量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を成長させ、選択的にp型の不純物が拡散された領域を形成し、その領域に含まれる量子井戸活性層の禁制帯エネルギ幅を増大させる。さらに不純物が拡散された領域と拡散されていない領域にメサストライプを並列に近接させて形成し、電流ブロック層で埋め込み、アレイ状の電流狭窄構造および共振器ストライプを形成する。電極及び電極分離溝を設け、発振波長の異なる半導体レーザアレイが得られる。

Claim (excerpt)：

同一のGaAs基板上に、GaAsまたはAlGaAsまたはInGaAsまたはAlInGaAsでなる量子井戸活性層を前記活性層より禁制帯幅の大きなGaAsまたはAlGaAsまたはAlInGaAsでなるクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を含む多層構造でなる第1の半導体レーザと第2の半導体レーザが並列に近接して配置され、前記2つの半導体レーザの活性層の組成構造および層厚構造は同一であり、かつ、第1の半導体レーザの活性層の導電型は、ノンドープであり、第2の半導体レーザの活性層の導電型は1×1018cm-3以上のp型であり、第2の半導体レーザの活性層の発光エネルギが、第1の半導体の活性層のエネルギよりも大きいことを特徴とする半導体レーザアレイ。