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J-GLOBAL ID：200903016839814274

半導体装置の製造方法および基板処理装置

Inventor： 佐野 敦 ,  堀井 貞義 ,  板谷 秀治 ,  浅井 優幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2005000751
Publication number (International publication number)：WO2005071723
Application date： Jan. 21, 2005
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板30上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室4で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも2段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。

Claim (excerpt)：

基板上に金属原子とシリコン原子を含む膜を成膜するステップと、 前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、 前記成膜ステップでは、少なくとも2段階でシリコン濃度を変化させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/56

FI (3)：

H01L21/316 X ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

F-Term (27)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BD16 ,  5F058BD18 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-063337   Applicant：株式会社日立国際電気