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J-GLOBAL ID：200903016845995230

プラズマ表面処理方法及び装置

Inventor：
池畑 隆

About 池畑 隆


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 山口 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002182259
Publication number (International publication number)：2004031461
Application date： Jun. 21, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】従来法と同等の表面処理効果を有し、被処理物から放出される2次電子による強いX線の発生の軽減と電力効率の良いプラズマ表面処理法及び装置を提供する。【解決手段】接地された真空容器11の内部に、プラズマ発生用電源16、プラズマ発生用アンテナ又は電極15によってプラズマ12を発生させる。接地電位にある導電性の支持体又は運動・移動機構19に支持された被処理物10がこのプラズマ12の中に浸される。真空容器11内に正パルスバイアスを印加するための電極(陽極)20を真空フィードスルー17を介して挿入する。更に、陽極20はパルス発生器18に接続される。パルス発生器18から被処理物10に対して正のパルス電圧を印加すると、プラズマ12と被処理物10の間にイオンシース13が形成され、被処理物10の表面全体をほぼ一様に覆い、プラズマ内の正イオン14はシース内の電界で加速され、被処理物10の表面に達する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
接地電位に保たれた被処理物の周囲に正電位にバイアスされたプラズマを発生させ、前記被処理物とプラズマとの間にパルス電圧を加えることにより前記被処理物とプラズマとの間にイオンシースを形成させ、プラズマ内の正イオンをイオンシース内の電界によって加速し、前記被処理物の表面に堆積させることにより、あるいは前記被処理物の内部にイオン注入させることによって、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質することを特徴とするプラズマ表面処理法。
IPC (2)：
H01L21/265 ,  C23C14/48
FI (2)：
H01L21/265 F ,  C23C14/48 Z
F-Term (5)：
4K029CA10 ,  4K029CA13 ,  4K029DE02 ,  4K029DE04 ,  4K029EA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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