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J-GLOBAL ID：200903016857308149
熱電半導体材料
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993193625
Publication number (International publication number)：1995048116
Application date： Aug. 04, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高性能の新規な材料組織を有する熱電半導体材料を提供する。【構成】 Fe、Co、Cr、Mn、Niからなる群より選ばれる金属のケイ化物の結晶と、Si結晶とを含むことを特徴とする熱電半導体材料。好ましくは、金属のケイ化物はβFeSi2 である。同半導体材料には、添加物として、元素周期律表の第Vb族、第VIb族、第IIIb族、第VIII族、第VIIa族、第VIa族に属する元素から選ばれた一種又は二種以上の元素を含むことができる。
Claim (excerpt)：
Fe、Co、Cr、Mn、Niからなる群より選ばれる金属のケイ化物の結晶と、Si結晶とを含むことを特徴とする熱電半導体材料。
IPC (2)：
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