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J-GLOBAL ID：200903016871327725
半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992218240
Publication number (International publication number)：1994045649
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 微小な発光径を有し、しかも高い発光効率を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 上面に窪み2を形成された半導体基板1の上に多層反射膜層3を設ける。多層反射膜層3は窪み2に沿って形成され、凹状部分4を有する。この上にn型下クラッド層5、活性層6、p型上クラッド層7、p型拡散ストップ層8、n型電流ブロック層9及びp型キャップ層10を成長させる。ついで、キャップ層10から上クラッド層までp型不純物を拡散させ、窪み2に対応する位置に電流狭窄領域11を形成する。キャップ層の上に設けたp側電極12には電流狭窄領域11に対応して光出射窓13を開口する。
Claim (excerpt)：
凹状の窪みが形成された基板の上方に、当該凹状の窪みの形状に沿って、屈折率の異なる2種の薄膜を複数層交互に積層してなる多層反射膜層を形成し、前記多層反射膜層の上方に活性層を形成するとともに、前記凹状の窪みの上方に電流狭窄領域を形成し、前記活性層の上方から光を出射させるようにした半導体発光素子。
IPC (4)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, G01D 5/36
, G06K 7/10
